用于微纳电子器件高分辨的形貌分析和表征,可对样品的三维形貌、材料断口大试样的表面进行观察和分析,显示化学成分的空间变化。

1.SE分辨率 30KV：≤1.2nm (工作距离5mm)。2.SE分辨率1KV（样品台减速）：≤2.0nm。3.加速电压：0.5 ~ 30kV ，样品台减速电压：≥0.1 ~ 2kV。4.具有顶部二次电子探头、低位二次电子探测头、低真空二次电子探测头和五分割背散射电子探测头，可接收SE、BSE图像，STEM功能。5.自动功能：自动合轴，自动亮度、对比度调节，自动对焦、消像散。6.能量分辨率：在100,000CPS条件下Mn Ka保证优于129eV，轻元素分辨率：C-K/57eV, F-K/67eV。真空度：优于10-7Pa (电子枪)；优于710-4Pa (样品室)