反应离子刻蚀机

仪器信息

  • 型号/规格:PlasmaPro 80
  • 购置时间:2022/7/1 4:07:00
  • 生产厂家:牛津仪器科技(上海)有限公司Oxford
  • 所属单位:浙江大学国际联合学院(海宁国际校区)
  • 联系人:戈佳艳/周秋萍
  • 电话:18260930177/13586406256
  • 邮箱:jiayange@intl.zju.edu.cn/ qiupingzhou@intl.zju.edu.cn
  • 放置地点:浙江大学国际联合学院(海宁国际校区)

主要功能介绍

氧化硅、氮化硅刻蚀

主要技术指标

1、对于SiO2 的刻蚀速率:40nm/min;

2、片间均匀性:0.53% ;

3、刻蚀选择比:光刻胶=3.2:1;

4、刻蚀侧壁倾角:75.65°;

5、对于SiNx 的刻蚀速率:88nm/min;

6、片间均匀性:0.49% ;

7、刻蚀选择比:光刻胶=1.8:1;

8、刻蚀侧壁倾角:73.01°。