可通过原子层热沉积/等离子生长的方式进行Al2O3、SiO2、ZnO、SnO2等材料的制备。
1.沉积材料：Al2O3、ZnO、SiO2 ；
2.工艺温度：20-500℃ ；
3.样品尺寸：6英寸向下兼容；
4.沉积速率：Al2O3：10nm/125cycle、ZnO：20nm/125cycle。