地质、矿物、金属、半导体、超导体、磁性材料、催化剂、生物、高分子等固体材料的原位加载、显微形貌观察和化学成分分析及图象处理。

1、电子光学系统:

1.1、二次电子分辨率：≤0.7nm@15kV，≤1.2nm@1kV（非样品台减速模式下）；

1.2、 放大倍率不小于：20-2,000,000倍（底片放大倍率）；

1.3、加速电压（非着陆电压或着陆能量）不小于：0.03kV～30kV，步进10 V，连续可调；

1.4、电子枪：肖特基场发射电子枪；

1.5、电子束流：最大束流不小于20nA；

1.6、束流稳定性：优于0.2%/h，抗噪声性能优于1%/h；

1.7、镜筒内具有静电透镜设计，能够保证样品室内无漏磁，可对铁磁性和易磁性材料进行2mm内短距离高分辨成像；

1.8、35o最佳出射角时，能谱仪分析工作距离可近到9mm以下。

2、样品室及样品台：

2.1、样品室：抽屉式拉门，样品室内部直径不小于320mm；可容纳最大样品尺寸不小于200mm；

2.2、五轴优中心马达驱动样品台，移动最大范围指标：X 130mm，Y 130mm，Z 50mm，双向倾斜，-4°-70°（倾斜），360°（旋转）；

2.3、配置多功能旋钮操作控制面板；

2.4、预留能谱仪等常用附件接口和软件通讯接口；

2.5、最大可载样品重量500g；

2.6、含样品触碰极靴告警；

3、探测器：

3.1、样品室二次电子探测器；

3.2、安装在物镜上方正光轴上的镜筒内二次电子探测器；

3.3、样品室内独立环形背散射电子探测器；

4、真空系统

4.1、样品室真空度：高真空模式优于2×10-4 Pa；

5、数字图像记录系统：

5.1、最大图像存储分辨率不小于：24k×16k像素；

5.2、图像显示：1240×768像素，24” LCD显示器；

5.3、图像记录：TIFF, BMP或JPEG；

6、控制和数据处理系统：

6.1、计算机系统Intel Xeon, Quad core processor以上CPU；DDRII 8G内存；SATA-II 250以上硬盘；独立显卡；DVD刻录机；24” LCD显示器；

6.2、Windows 操作系统；

7、能谱仪：

7.1、探测器：分析型硅漂移（SDD）电制冷探测器；

7.2、晶体活区面积： 60mm2；

7.3、能量分辨率：129 eV（MnKa）；

7.4、分析元素范围不小于：Be4-Cf98；