用于制备各种金属膜、半导体膜、介质膜、磁控膜、光学膜、超导膜、传感膜以及各种特殊需求的功能薄膜。

1.溅射真空室：500×500×H400mm（以设计为准）与手套箱集成2.磁控靶：2吋磁控溅射靶3个，有自动匹配功能，可设定功率。3.旋转基片台：衬底加热 ：室温～500℃±1℃， PID控制。 旋转速度：0-50转/分连续可调。4.真空度：极限真空度为：8×10-5Pa。 在氮气保护下从大气抽到5×10-4Pa≤40分钟。5.溅射有效面积：100×100mm。6.控制方式：触摸屏全自动控制，带有逻辑互锁保护。溅射不均匀性：≤3%（3吋范围内）